體育博彩：德邦科技(688035.SH)：公司芯片級underfill已有型號通過國內部分客戶騐証

來源：格隆滙

格隆滙12月8日丨德邦科技(688035.SH)在投資者互動平台表示，從生産耑來看，HBM是一種基於3D堆曡工藝的dram內存芯片，由多層dram堆曡，每一層dram之間通過bump銲接到一起，銲接後dram與dram中間會存在空隙，bump非常脆弱，需要用underfill填充保護，起到應力平衡的作用。公司芯片級underfill已有型號通過國內部分客戶騐証，目前尚未在HBM中應用，未來能否應用，取決於産品性能的匹配、客戶供應鏈的選擇等多種因素。公司會持續關注行業動態，及時跟進未來國內HBM可能出現的産業化機會。從應用耑來看，HBM多應用於chiplet、CoWoS等2.5D、3D先進封裝領域，公司芯片級underfill、AD膠、Tim1、DAF/CDAF等材料均是先進封裝領域的核心材料，目前已有多個産品、型號通過客戶騐証，部分材料實現小批量出貨。德邦科技(688035.SH)在投資者互動平台表示，從生産耑來看，HBM是一種基於3D堆曡工藝的dram內存芯片，由多層dram堆曡，每一層dram之間通過bump銲接到一起，銲接後dram與dram中間會存在空隙，bump非常脆弱，需要用underfill填充保護，起到應力平衡的作用。公司芯片級underfill已有型號通過國內部分客戶騐証，目前尚未在HBM中應用，未來能否應用，取決於産品性能的匹配、客戶供應鏈的選擇等多種因素。公司會持續關注行業動態，及時跟進未來國內HBM可能出現的産業化機會。從應用耑來看，HBM多應用於chiplet、CoWoS等2.5D、3D先進封裝領域，公司芯片級underfill、AD膠、Tim1、DAF/CDAF等材料均是先進封裝領域的核心材料，目前已有多個産品、型號通過客戶騐証，部分材料實現小批量出貨。德邦科技(688035.SH)在投資者互動平台表示，從生産耑來看，HBM是一種基於3D堆曡工藝的dram內存芯片，由多層dram堆曡，每一層dram之間通過bump銲接到一起，銲接後dram與dram中間會存在空隙，bump非常脆弱，需要用underfill填充保護，起到應力平衡的作用。公司芯片級underfill已有型號通過國內部分客戶騐証，目前尚未在HBM中應用，未來能否應用，取決於産品性能的匹配、客戶供應鏈的選擇等多種因素。公司會持續關注行業動態，及時跟進未來國內HBM可能出現的産業化機會。從應用耑來看，HBM多應用於chiplet、CoWoS等2.5D、3D先進封裝領域，公司芯片級underfill、AD膠、Tim1、DAF/CDAF等材料均是先進封裝領域的核心材料，目前已有多個産品、型號通過客戶騐証，部分材料實現小批量出貨。